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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - tableaux > SG2013J-883B
SG2013J-883B
SG2013J-883B
Modèle de produit:
SG2013J-883B
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
25011 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
SG2013J-883B.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.9V @ 600µA, 500mA
Transistor Type:7 NPN Darlington
Package composant fournisseur:16-CDIP
Séries:-
Puissance - Max:-
Emballage:Tube
Package / Boîte:-
Autres noms:1259-1108
1259-1108-MIL
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:900 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):600mA
Email:[email protected]

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