SG2013J-883B tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk SG2013J-883B, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk SG2013J-883B melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli SG2013J-883B dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
SG2013J-883B
- Nomor bagian:
- SG2013J-883B
- Pabrikan:
- Microsemi
- Deskripsi:
- TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
- Status Bebas Timbal:
- Berisi timbal / RoHS tidak patuh
- Jumlah stok:
- 25011 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- SG2013J-883B.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Kolektor Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| transistor Jenis: | 7 NPN Darlington |
| Paket Perangkat pemasok: | 16-CDIP |
| Seri: | - |
| Listrik - Max: | - |
| Pengemasan: | Tube |
| Paket / Case: | - |
| Nama lain: | 1259-1108 1259-1108-MIL |
| Suhu Operasional: | 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frekuensi - Transisi: | - |
| Detil Deskripsi: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE: | 900 @ 500mA, 2V |
| Saat ini - Kolektor cutoff (Max): | - |
| Saat ini - Kolektor (Ic) (Max): | 600mA |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk SG2013J-883B
Latest Berita
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS