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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > SG2003J-JAN
SG2003J-JAN
SG2003J-JAN
Modelo do Produto:
SG2003J-JAN
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
33352 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SG2003J-JAN.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor:7 NPN Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:16-CDIP
Série:-
Power - Max:-
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Outros nomes:1259-1082
1259-1082-MIL
M38510/14103BEA
Q9387418
SG2003JJAN
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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