IPB108N15N3GATMA1
IPB108N15N3GATMA1
Modelo do Produto:
IPB108N15N3GATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
36947 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IPB108N15N3GATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 160µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10.8 mOhm @ 83A, 10V
Dissipação de energia (Max):214W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IPB108N15N3 GDKR
IPB108N15N3 GDKR-ND
IPB108N15N3GATMA1DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3230pF @ 75V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):8V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):150V
Descrição detalhada:N-Channel 150V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:83A (Tc)
Email:[email protected]

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