IPB108N15N3GATMA1 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IPB108N15N3GATMA1, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IPB108N15N3GATMA1 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IPB108N15N3GATMA1 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
IPB108N15N3GATMA1
- Nomor bagian:
- IPB108N15N3GATMA1
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 36947 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- IPB108N15N3GATMA1.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 160µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | D²PAK (TO-263AB) |
| Seri: | OptiMOS™ |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 10.8 mOhm @ 83A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 214W (Tc) |
| Pengemasan: | Original-Reel® |
| Paket / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Nama lain: | IPB108N15N3 GDKR IPB108N15N3 GDKR-ND IPB108N15N3GATMA1DKR |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 3230pF @ 75V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 8V, 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 150V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 150V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 83A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk IPB108N15N3GATMA1
Latest Berita
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?
- Memori nand flash berlanjut, mcu destocking bount benar
- Di bawah outlet AI Air, dua raksasa chip utama "tidak kuat": menghancurkan uang untuk memecahkan permainan, bertaruh pada 2025 pertempuran tim