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IPB108N15N3GATMA1
- Artikelnummer:
- IPB108N15N3GATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 36947 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IPB108N15N3GATMA1.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 160µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10.8 mOhm @ 83A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 214W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | IPB108N15N3 GDKR IPB108N15N3 GDKR-ND IPB108N15N3GATMA1DKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3230pF @ 75V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 8V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 150V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 150V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 83A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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