IPB108N15N3GATMA1 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para IPB108N15N3GATMA1, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para IPB108N15N3GATMA1 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre IPB108N15N3GATMA1 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
IPB108N15N3GATMA1
- Número de pieza:
- IPB108N15N3GATMA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 36947 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- IPB108N15N3GATMA1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 160µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10.8 mOhm @ 83A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 214W (Tc) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | IPB108N15N3 GDKR IPB108N15N3 GDKR-ND IPB108N15N3GATMA1DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3230pF @ 75V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 8V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 150V |
| Descripción detallada: | N-Channel 150V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 83A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IPB108N15N3GATMA1
Latest Noticias
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS
- La gran fábrica de chips se vio afectada por el terremoto: ¿TSMC dejó de funcionar con urgencia, exacerbando el suministro de GPU en escasez de suministro?
- La memoria flash nand continúa, MCU Destocking Bottom es correcto
- Debajo de la salida aérea de AI, los dos gigantes de chips principales son "no fuertes": destrozar el dinero para romper el juego, apostar en 2025 batallas de equipo