IPB100N08S2L07ATMA1
IPB100N08S2L07ATMA1
Número de pieza:
IPB100N08S2L07ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
42112 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IPB100N08S2L07ATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:6.5 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB100N08S2L-07
IPB100N08S2L-07-ND
IPB100N08S2L07ATMA1TR
SP000219053
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:246nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:75V
Descripción detallada:N-Channel 75V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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