IPB10N03LB G tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IPB10N03LB G, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IPB10N03LB G melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IPB10N03LB G dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
IPB10N03LB G
- Nomor bagian:
- IPB10N03LB G
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 56869 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- IPB10N03LB G.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | PG-TO263-3 |
| Seri: | OptiMOS™ |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 9.6 mOhm @ 50A, 10V |
| Power Disipasi (Max): | 58W (Tc) |
| Pengemasan: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Case: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Nama lain: | IPB10N03LB G-ND IPB10N03LBG IPB10N03LBGXT SP000103305 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 1639pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 4.5V, 10V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 30V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk IPB10N03LB G
Latest Berita
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?
- Memori nand flash berlanjut, mcu destocking bount benar
- Di bawah outlet AI Air, dua raksasa chip utama "tidak kuat": menghancurkan uang untuk memecahkan permainan, bertaruh pada 2025 pertempuran tim