IPB100N06S3L-04
IPB100N06S3L-04
Modelo do Produto:
IPB100N06S3L-04
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
51996 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IPB100N06S3L-04.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 150µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO263-3-2
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.5 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):214W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IPB100N06S3L-04-ND
IPB100N06S3L-04INTR
IPB100N06S3L04XT
SP000102219
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:17270pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:362nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição detalhada:N-Channel 55V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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