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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APTM10UM02FAG
APTM10UM02FAG
Modelo do Produto:
APTM10UM02FAG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
57578 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
APTM10UM02FAG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 10mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.5 mOhm @ 200A, 10V
Dissipação de energia (Max):1660W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP6
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:40000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1360nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 570A (Tc) 1660W (Tc) Chassis Mount SP6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:570A (Tc)
Email:[email protected]

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