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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > APTM120A65FT1G
APTM120A65FT1G
Modelo do Produto:
APTM120A65FT1G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
26884 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.APTM120A65FT1G.pdf2.APTM120A65FT1G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP1
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:780 mOhm @ 14A, 10V
Power - Max:390W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP1
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7736pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 16A 390W Chassis Mount SP1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:16A
Email:[email protected]

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