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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APTM10UM01FAG
APTM10UM01FAG
APTM10UM01FAG
Modelo do Produto:
APTM10UM01FAG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
52935 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.APTM10UM01FAG.pdf2.APTM10UM01FAG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 12mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.6 mOhm @ 275A, 10V
Dissipação de energia (Max):2500W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP6
Outros nomes:APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:60000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 860A (Tc) 2500W (Tc) Chassis Mount SP6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:860A (Tc)
Email:[email protected]

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