APTM120A65FT1G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTM120A65FT1G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTM120A65FT1G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTM120A65FT1G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTM120A65FT1G
- رقم القطعة:
- APTM120A65FT1G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26884 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTM120A65FT1G.pdf2.APTM120A65FT1G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 2.5mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP1 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 780 mOhm @ 14A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 390W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7736pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 300nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 16A 390W Chassis Mount SP1 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTM120A65FT1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM120DU15G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | تحقيق |
 |
APTM120A20DG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | تحقيق |
|
APTM120A29FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | تحقيق |
 |
APTM10TAM19FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P | تحقيق |
|
APTM120DA68T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 | تحقيق |
|
APTM120A15FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | تحقيق |
|
APTM120DA29TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 | تحقيق |
|
APTM120DA56T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 | تحقيق |
|
APTM120DA15G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | تحقيق |
|
APTM120A20SG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | تحقيق |
|
APTM120DSK57T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | تحقيق |
 |
APTM120DA30CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | تحقيق |
|
APTM120DA30T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | تحقيق |
|
APTM120DDA57T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | تحقيق |
 |
APTM10UM01FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 860A SP6 | تحقيق |
|
APTM120A80FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 | تحقيق |
|
APTM10TAM09FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P | تحقيق |
|
APTM10TDUM09PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P | تحقيق |
|
APTM10TDUM19PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P | تحقيق |
|
APTM10UM02FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 570A SP6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق