APTM10TAM09FPG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTM10TAM09FPG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTM10TAM09FPG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTM10TAM09FPG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTM10TAM09FPG
- رقم القطعة:
- APTM10TAM09FPG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38700 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTM10TAM09FPG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 2.5mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP6-P |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 390W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9875pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 350nC @ 10V |
| نوع FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 139A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTM10TAM09FPG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM10DSKM19T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 | تحقيق |
|
APTM120A20SG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | تحقيق |
|
APTM120A20DG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 | تحقيق |
 |
APTM10HM19FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 | تحقيق |
|
APTM10SKM02G | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 495A SP6 | تحقيق |
 |
APTM10TDUM09PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P | تحقيق |
|
APTM10DUM02G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 | تحقيق |
|
APTM10UM02FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 570A SP6 | تحقيق |
|
APTM10TDUM19PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P | تحقيق |
|
APTM10DSKM09T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 | تحقيق |
|
APTM120A15FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | تحقيق |
|
APTM10HM09FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 | تحقيق |
|
APTM120A29FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | تحقيق |
 |
APTM10UM01FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 860A SP6 | تحقيق |
|
APTM10SKM05TG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 278A SP4 | تحقيق |
|
APTM120A65FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 | تحقيق |
|
APTM10TAM19FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P | تحقيق |
 |
APTM10HM05FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 | تحقيق |
|
APTM10DUM05TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 | تحقيق |
|
APTM10HM09FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025