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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APTM10UM02FAG
APTM10UM02FAG
Modèle de produit:
APTM10UM02FAG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
57578 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APTM10UM02FAG.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 10mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SP6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.5 mOhm @ 200A, 10V
Dissipation de puissance (max):1660W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:40000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:1360nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 570A (Tc) 1660W (Tc) Chassis Mount SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:570A (Tc)
Email:[email protected]

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