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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APTM120DA30T1G
APTM120DA30T1G
Modèle de produit:
APTM120DA30T1G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
28369 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APTM120DA30T1G.pdf2.APTM120DA30T1G.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SP1
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max):657W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP1
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:14560pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:560nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1200V
Description détaillée:N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:31A (Tc)
Email:[email protected]

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