Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APTM120DA15G
APTM120DA15G
Modèle de produit:
APTM120DA15G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
44710 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APTM120DA15G.pdf2.APTM120DA15G.pdf
Enquête

introduction

APTM120DA15G est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour APTM120DA15G, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour APTM120DA15G par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez APTM120DA15G avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 10mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SP6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:175 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):1250W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:20600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:748nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1200V
Description détaillée:N-Channel 1200V 60A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APTM120DA15G

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APTM120A20SG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 Enquête
APTM120A80FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 Enquête
APTM120A15FG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 Enquête
APTM120DSK57T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 Enquête
APTM10TDUM19PG Image APTM10TDUM19PG Microsemi MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P Enquête
APTM120DA30T1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 Enquête
APTM120DU15G Image APTM120DU15G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 Enquête
APTM120DA29TG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 Enquête
APTM120DA30CT1G Image APTM120DA30CT1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 Enquête
APTM120A65FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 Enquête
APTM120A20DG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 Enquête
APTM120A29FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 Enquête
APTM10TDUM09PG Image APTM10TDUM09PG Microsemi MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P Enquête
APTM10UM02FAG Microsemi MOSFET N-CH 100V 570A SP6 Enquête
APTM120DA68T1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 Enquête
APTM120DA56T1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 Enquête
APTM120DU29TG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 Enquête
APTM10UM01FAG Image APTM10UM01FAG Microsemi MOSFET N-CH 100V 860A SP6 Enquête
APTM120DDA57T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 Enquête
APTM120H140FT1G Image APTM120H140FT1G Microsemi MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 Enquête

Latest Nouvelles