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APTM10UM02FAG
Artikelnummer:
APTM10UM02FAG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
57578 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
APTM10UM02FAG.pdf
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Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 10mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SP6
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.5 mOhm @ 200A, 10V
Verlustleistung (max):1660W (Tc)
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP6
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:40000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1360nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 570A (Tc) 1660W (Tc) Chassis Mount SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:570A (Tc)
Email:[email protected]

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