IRFR13N20DTRR è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IRFR13N20DTRR, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IRFR13N20DTRR via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IRFR13N20DTRR con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
IRFR13N20DTRR
- Modello di prodotti:
- IRFR13N20DTRR
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 27752 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IRFR13N20DTRR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 830pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | D-Pak |
| Vgs (th) (max) a Id: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | HEXFET® |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 13A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFR13N20DTRR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 38nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| rapporto di capacità: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRFR13N20DTRR
Latest Notizie
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?