IRFR13N20DTRR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para IRFR13N20DTRR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para IRFR13N20DTRR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre IRFR13N20DTRR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
IRFR13N20DTRR
- Número de pieza:
- IRFR13N20DTRR
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 27752 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- IRFR13N20DTRR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - Prueba: | 830pF @ 25V |
| Tensión - Desglose: | D-Pak |
| VGS (th) (Max) @Id: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | HEXFET® |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 13A (Tc) |
| Polarización: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRFR13N20DTRR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 38nC @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| relación de capacidades: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRFR13N20DTRR
Latest Noticias
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS
- La gran fábrica de chips se vio afectada por el terremoto: ¿TSMC dejó de funcionar con urgencia, exacerbando el suministro de GPU en escasez de suministro?