Το IRFR13N20DTRR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IRFR13N20DTRR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IRFR13N20DTRR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IRFR13N20DTRR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IRFR13N20DTRR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IRFR13N20DTRR
- Κατασκευαστής:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27752 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IRFR13N20DTRR.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 830pF @ 25V |
| Τάσης - Ανάλυση: | D-Pak |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Σειρά: | HEXFET® |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 13A (Tc) |
| Πόλωση: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | IRFR13N20DTRR |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 38nC @ 10V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| FET Χαρακτηριστικό: | N-Channel |
| Διευρυμένη περιγραφή: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | - |
| Περιγραφή: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| Λόγος χωρητικότητα: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IRFR13N20DTRR
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;