IRFR13N20DTRR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IRFR13N20DTRR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IRFR13N20DTRR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IRFR13N20DTRR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IRFR13N20DTRR
- Part Number:
- IRFR13N20DTRR
- Popis:
- MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 27752 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IRFR13N20DTRR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 830pF @ 25V |
| Napětí - Rozdělení: | D-Pak |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | HEXFET® |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 13A (Tc) |
| Polarizace: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | IRFR13N20DTRR |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 38nC @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Rozšířený popis: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | - |
| Popis: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| kapacitní Ratio: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRFR13N20DTRR
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?