IRFR13N20DTRR tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk IRFR13N20DTRR, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk IRFR13N20DTRR melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli IRFR13N20DTRR dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
IRFR13N20DTRR
- Nomor bagian:
- IRFR13N20DTRR
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- Status Bebas Timbal:
- Berisi timbal / RoHS tidak patuh
- Jumlah stok:
- 27752 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- IRFR13N20DTRR.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Uji: | 830pF @ 25V |
| Tegangan - Breakdown: | D-Pak |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seri: | HEXFET® |
| Status RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 13A (Tc) |
| Polarisasi: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Nomor Bagian Produsen: | IRFR13N20DTRR |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 38nC @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| Fitur FET: | N-Channel |
| Deskripsi yang Diperluas: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | - |
| Deskripsi: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| kapasitansi Ratio: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk IRFR13N20DTRR
Latest Berita
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?