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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2029ENGRT
EPC2029ENGRT
EPC2029ENGRT
Modello di prodotti:
EPC2029ENGRT
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
22389 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2029ENGRT.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - Prova:1400pF @ 40V
Tensione - Ripartizione:Die
Vgs (th) (max) a Id:3.2 mOhm @ 30A, 5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Serie:eGaN®
Stato RoHS:Digi-Reel®
Rds On (max) a Id, Vgs:31A (Ta)
Polarizzazione:Die
Altri nomi:917-EPC2029CENGRDKR
917-EPC2029CENGRDKR-ND
917-EPC2029CENGRTDKR
917-EPC2029CENGRTDKR-ND
917-EPC2029ENGRDKR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EPC2029ENGRT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13nC @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 12mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 80V 31A (Ta) Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80V
rapporto di capacità:-
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Inchiesta
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