ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > EPC2029ENGRT
EPC2029ENGRT
EPC2029ENGRT
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2029ENGRT
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
22389 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
EPC2029ENGRT.pdf
การสอบสวน

บทนำ

EPC2029ENGRT พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ EPC2029ENGRT เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ EPC2029ENGRT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EPC2029ENGRT ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:1400pF @ 40V
แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย:Die
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.2 mOhm @ 30A, 5V
เทคโนโลยี:GaNFET (Gallium Nitride)
ชุด:eGaN®
สถานะ RoHS:Digi-Reel®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:31A (Ta)
โพลาไรซ์:Die
ชื่ออื่น:917-EPC2029CENGRDKR
917-EPC2029CENGRDKR-ND
917-EPC2029CENGRTDKR
917-EPC2029CENGRTDKR-ND
917-EPC2029ENGRDKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:EPC2029ENGRT
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:13nC @ 5V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:2.5V @ 12mA
คุณสมบัติ FET:N-Channel
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 80V 31A (Ta) Surface Mount Die
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):-
ลักษณะ:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:80V
อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2029ENGRT

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE การสอบสวน
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE การสอบสวน
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE การสอบสวน
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE การสอบสวน
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE การสอบสวน
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE การสอบสวน

ข่าว Latest