EPC2030 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ EPC2030 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ EPC2030 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EPC2030 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
EPC2030
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- EPC2030
- ผู้ผลิต:
- EPC
- ลักษณะ:
- MOSFET NCH 40V 31A DIE
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 25875 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- EPC2030.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 16mA |
| เทคโนโลยี: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ชุด: | eGaN® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 30A, 5V |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| ชื่ออื่น: | 917-1150-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1900pF @ 20V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 18nC @ 5V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 40V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 40V 31A (Ta) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 31A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2030
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2029ENGR | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2024ENG | EPC | TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2029 | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2031 | EPC | MOSFET NCH 60V 31A DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2030ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2031ENGRT | EPC | MOSFET NCH 60V 31A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2032 | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2023ENGR | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2025ENGR | EPC | TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2023ENG | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2032ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2031ENGR | EPC | TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2033 | EPC | TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2033ENGR | EPC | TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2030ENGRT | EPC | MOSFET NCH 40V 31A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2032ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2025 | EPC | TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2024ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2029ENGRT | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2024 | EPC | MOSFET NCH 40V 60A DIE | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย