EPC2033ENGR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ EPC2033ENGR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ EPC2033ENGR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EPC2033ENGR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
EPC2033ENGR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- EPC2033ENGR
- ผู้ผลิต:
- EPC
- ลักษณะ:
- TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 41207 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- EPC2033ENGR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 1140pF @ 75V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | Die |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 7 mOhm @ 25A, 5V |
| เทคโนโลยี: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ชุด: | eGaN® |
| สถานะ RoHS: | Tray |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 31A (Ta) |
| โพลาไรซ์: | Die |
| ชื่ออื่น: | 917-EPC2033ENGR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | EPC2033ENGR |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 10nC @ 5V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 2.5V @ 9mA |
| คุณสมบัติ FET: | N-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 150V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2033ENGR
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2033ENGRT | EPC | TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2031ENGRT | EPC | MOSFET NCH 60V 31A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2034ENGRT | EPC | TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2037 | EPC | TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI | การสอบสวน |
 |
EPC2032ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2030 | EPC | MOSFET NCH 40V 31A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2036ENGRT | EPC | MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2032ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2030ENGRT | EPC | MOSFET NCH 40V 31A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2037ENGR | EPC | TRANS GAN 100V BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2033 | EPC | TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2034 | EPC | TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2034ENGR | EPC | TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2035 | EPC | TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2032 | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2031ENGR | EPC | TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2031 | EPC | MOSFET NCH 60V 31A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2038 | EPC | TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2030ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2036 | EPC | TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด