Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2024ENGR
EPC2024ENGR
EPC2024ENGR
Modello di prodotti:
EPC2024ENGR
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
28180 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2024ENGR.pdf
Inchiesta

introduzione

EPC2024ENGR è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per EPC2024ENGR, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per EPC2024ENGR via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista EPC2024ENGR con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Tensione - Prova:2100pF @ 20V
Tensione - Ripartizione:Die
Vgs (th) (max) a Id:1.5 mOhm @ 37A, 5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Serie:eGaN®
Stato RoHS:Digi-Reel®
Rds On (max) a Id, Vgs:60A (Ta)
Polarizzazione:Die
Altri nomi:917-EPC2024ENGRDKR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EPC2024ENGR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:19nC @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 19mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 40V 60A (Ta) Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:40V
rapporto di capacità:-
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per EPC2024ENGR

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE Inchiesta
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Inchiesta
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Inchiesta
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Inchiesta
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE Inchiesta
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Inchiesta
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Inchiesta

Latest Notizie