Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2023ENG
EPC2023ENG
EPC2023ENG
Modello di prodotti:
EPC2023ENG
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
25717 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2023ENG.pdf
Inchiesta

introduzione

EPC2023ENG è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per EPC2023ENG, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per EPC2023ENG via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista EPC2023ENG con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 20mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.3 mOhm @ 40A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-EPC2023ENG
EPC2023ENGRC2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 60A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per EPC2023ENG

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE Inchiesta
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Inchiesta
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Inchiesta
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE Inchiesta
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Inchiesta

Latest Notizie