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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2032
EPC2032
EPC2032
Modello di prodotti:
EPC2032
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
59273 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2032.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 11mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:4 mOhm @ 30A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1126-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1530pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 48A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:48A (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Inchiesta
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EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Inchiesta
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