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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2036
EPC2036
EPC2036
Modello di prodotti:
EPC2036
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
50423 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.EPC2036.pdf2.EPC2036.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 600µA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:65 mOhm @ 1A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1100-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:90pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.91nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 1A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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Parti relative per EPC2036

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE Inchiesta
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EPC2040 Image EPC2040 EPC MOSFET NCH 15V 3.4A DIE Inchiesta
EPC2039ENGRT Image EPC2039ENGRT EPC TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE Inchiesta
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EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Inchiesta
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2039 Image EPC2039 EPC TRANS GAN 80V BUMPED DIE Inchiesta
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE Inchiesta
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