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EPC2038ENGR
EPC2038ENGR
Modello di prodotti:
EPC2038ENGR
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
52951 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2038ENGR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 20µA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:3.3 Ohm @ 50mA, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-EPC2038ENGRTR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8.4pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.044nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 500mA (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Inchiesta
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EPC2039ENGRT Image EPC2039ENGRT EPC TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE Inchiesta
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