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APT27ZTR-G1
- Modello di prodotti:
- APT27ZTR-G1
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- TRANS NPN 450V 0.8A TO92
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57432 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT27ZTR-G1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 450V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 500mV @ 40mA, 200mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 800mW |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi: | APT27ZTR-G1DICT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 6 @ 300mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 10µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 800mA |
| Numero di parte base: | APT27 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT27ZTR-G1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT25M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Inchiesta |
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APT28F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT27HZTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 0.8A TO92 | Inchiesta |
 |
APT25SM120S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
 |
APT2X100D20J | Microsemi | DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP | Inchiesta |
|
APT27GA90BD15 | Microsemi | IGBT 900V 48A 223W TO247 | Inchiesta |
 |
APT2X100D100J | Microsemi | DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT28M120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT26F120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 | Inchiesta |
|
APT25GT120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | Inchiesta |
|
APT26F120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT28F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK | Inchiesta |
|
APT28M120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 | Inchiesta |
|
APT25SM120B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
|
APT29F80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | Inchiesta |
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APT26M100JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | Inchiesta |
|
APT26M100JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | Inchiesta |
|
APT29F100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 | Inchiesta |
|
APT29F100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX | Inchiesta |
|
APT2X100D120J | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP | Inchiesta |
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