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APT29F100L
- Modello di prodotti:
- APT29F100L
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 55910 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT29F100L.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-264 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 460 mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1040W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-264-3, TO-264AA |
| Altri nomi: | APT29F100LMI APT29F100LMI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 8500pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 260nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 1000V 30A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT29F100L
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT2X100D40J | Microsemi | DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT28M120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 | Inchiesta |
 |
APT2X100D20J | Microsemi | DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT27ZTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 0.8A TO92 | Inchiesta |
|
APT2X100D60J | Microsemi | DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT29F100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX | Inchiesta |
|
APT27HZTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 0.8A TO92 | Inchiesta |
|
APT2X100D30J | Microsemi | DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT2X100D100J | Microsemi | DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP | Inchiesta |
|
APT2X100D120J | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT28F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 | Inchiesta |
|
APT2X100DQ120J | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 100A ISOTOP | Inchiesta |
|
APT2X100DQ60J | Microsemi | DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP | Inchiesta |
|
APT26M100JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | Inchiesta |
|
APT27GA90BD15 | Microsemi | IGBT 900V 48A 223W TO247 | Inchiesta |
|
APT28M120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT28F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK | Inchiesta |
|
APT2X100DQ100J | Microsemi | DIODE MODULE 1KV 100A ISOTOP | Inchiesta |
|
APT29F80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT26M100JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | Inchiesta |
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