Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT29F100L
APT29F100L
APT29F100L
Modèle de produit:
APT29F100L
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
55910 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT29F100L.pdf
Enquête

introduction

APT29F100L est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour APT29F100L, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour APT29F100L par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez APT29F100L avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-264
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:460 mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max):1040W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-264-3, TO-264AA
Autres noms:APT29F100LMI
APT29F100LMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:8500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:260nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 30A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT29F100L

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT2X100D40J Image APT2X100D40J Microsemi DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP Enquête
APT28M120L Image APT28M120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 Enquête
APT2X100D20J Image APT2X100D20J Microsemi DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP Enquête
APT27ZTR-G1 Image APT27ZTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 0.8A TO92 Enquête
APT2X100D60J Image APT2X100D60J Microsemi DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP Enquête
APT29F100B2 Image APT29F100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX Enquête
APT27HZTR-G1 Image APT27HZTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 0.8A TO92 Enquête
APT2X100D30J Image APT2X100D30J Microsemi DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP Enquête
APT2X100D100J Image APT2X100D100J Microsemi DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP Enquête
APT2X100D120J Image APT2X100D120J Microsemi DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP Enquête
APT28F60B Image APT28F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 Enquête
APT2X100DQ120J Image APT2X100DQ120J Microsemi DIODE MODULE 1.2KV 100A ISOTOP Enquête
APT2X100DQ60J Image APT2X100DQ60J Microsemi DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP Enquête
APT26M100JCU2 Image APT26M100JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 Enquête
APT27GA90BD15 Image APT27GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 48A 223W TO247 Enquête
APT28M120B2 Image APT28M120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX Enquête
APT28F60S Image APT28F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK Enquête
APT2X100DQ100J Image APT2X100DQ100J Microsemi DIODE MODULE 1KV 100A ISOTOP Enquête
APT29F80J Image APT29F80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 Enquête
APT26M100JCU3 Image APT26M100JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 Enquête

Latest Nouvelles