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APT27GA90BD15
- Modello di prodotti:
- APT27GA90BD15
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 900V 48A 223W TO247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57080 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APT27GA90BD15.pdf2.APT27GA90BD15.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 900V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 3.1V @ 15V, 14A |
| Condizione di test: | 600V, 14A, 10 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 9ns/98ns |
| di scambio energetico: | 413µJ (on), 287µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 223W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | APT27GA90BD15MI APT27GA90BD15MI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 29 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 62nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT PT 900V 48A 223W Through Hole TO-247 [B] |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 79A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 48A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT27GA90BD15
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT25GT120BRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | Inchiesta |
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APT28M120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 | Inchiesta |
 |
APT25M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT2X100D100J | Microsemi | DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP | Inchiesta |
|
APT28F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT25SM120B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
 |
APT29F100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX | Inchiesta |
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APT26M100JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | Inchiesta |
 |
APT27HZTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 0.8A TO92 | Inchiesta |
|
APT29F80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT26M100JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | Inchiesta |
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APT26F120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 | Inchiesta |
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APT28F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK | Inchiesta |
|
APT28M120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX | Inchiesta |
|
APT27ZTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 0.8A TO92 | Inchiesta |
|
APT29F100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 | Inchiesta |
|
APT25GT120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | Inchiesta |
|
APT26F120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX | Inchiesta |
|
APT25SM120S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
|
APT25GR120SSCD10 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | Inchiesta |
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