APT25SM120S
Modello di prodotti:
APT25SM120S
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
POWER MOSFET - SIC
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
31573 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
APT25SM120S.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore:D3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:175 mOhm @ 10A, 20V
Dissipazione di potenza (max):175W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:D-3 Module
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):1200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 1200V 25A (Tc) 175W (Tc) Chassis Mount D3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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