Το APT27ZTR-G1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT27ZTR-G1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT27ZTR-G1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT27ZTR-G1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APT27ZTR-G1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APT27ZTR-G1
- Κατασκευαστής:
- Diodes Incorporated
- Περιγραφή:
- TRANS NPN 450V 0.8A TO92
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 57432 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APT27ZTR-G1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 450V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 40mA, 200mA |
| transistor Τύπος: | NPN |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-92 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 800mW |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Αλλα ονόματα: | APT27ZTR-G1DICT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 6 @ 300mA, 10V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 10µA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 800mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | APT27 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APT27ZTR-G1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APT25M100J | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Έρευνα |
 |
APT28F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 | Έρευνα |
 |
APT27HZTR-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 0.8A TO92 | Έρευνα |
 |
APT25SM120S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Έρευνα |
 |
APT2X100D20J | Microsemi | DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP | Έρευνα |
|
APT27GA90BD15 | Microsemi | IGBT 900V 48A 223W TO247 | Έρευνα |
 |
APT2X100D100J | Microsemi | DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP | Έρευνα |
 |
APT28M120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX | Έρευνα |
 |
APT26F120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 | Έρευνα |
|
APT25GT120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | Έρευνα |
|
APT26F120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX | Έρευνα |
 |
APT28F60S | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK | Έρευνα |
|
APT28M120L | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 | Έρευνα |
|
APT25SM120B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Έρευνα |
|
APT29F80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT26M100JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | Έρευνα |
|
APT26M100JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | Έρευνα |
|
APT29F100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 | Έρευνα |
|
APT29F100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX | Έρευνα |
|
APT2X100D120J | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash