Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT29F80J
APT29F80J
APT29F80J
Αριθμός εξαρτήματος:
APT29F80J
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
41174 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APT29F80J.pdf2.APT29F80J.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT29F80J είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT29F80J, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT29F80J μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT29F80J με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:ISOTOP®
Σειρά:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:210 mOhm @ 24A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):543W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-227-4, miniBLOC
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Chassis Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:21 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:9326pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:303nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):800V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 800V 31A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:31A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT29F80J

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT26M100JCU3 Image APT26M100JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 Έρευνα
APT28M120L Image APT28M120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 Έρευνα
APT2X100D60J Image APT2X100D60J Microsemi DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP Έρευνα
APT27HZTR-G1 Image APT27HZTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 0.8A TO92 Έρευνα
APT28M120B2 Image APT28M120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX Έρευνα
APT28F60B Image APT28F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 Έρευνα
APT29F100L Image APT29F100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 Έρευνα
APT2X100D100J Image APT2X100D100J Microsemi DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP Έρευνα
APT2X100D40J Image APT2X100D40J Microsemi DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP Έρευνα
APT2X100DQ60J Image APT2X100DQ60J Microsemi DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP Έρευνα
APT2X101D100J Image APT2X101D100J Microsemi DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP Έρευνα
APT28F60S Image APT28F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK Έρευνα
APT27GA90BD15 Image APT27GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 48A 223W TO247 Έρευνα
APT27ZTR-G1 Image APT27ZTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 0.8A TO92 Έρευνα
APT2X100DQ120J Image APT2X100DQ120J Microsemi DIODE MODULE 1.2KV 100A ISOTOP Έρευνα
APT2X100DQ100J Image APT2X100DQ100J Microsemi DIODE MODULE 1KV 100A ISOTOP Έρευνα
APT2X100D30J Image APT2X100D30J Microsemi DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP Έρευνα
APT2X100D20J Image APT2X100D20J Microsemi DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP Έρευνα
APT29F100B2 Image APT29F100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX Έρευνα
APT2X100D120J Image APT2X100D120J Microsemi DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP Έρευνα

Latest Ειδήσεις