Az SI8273DBD-IS1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SI8273DBD-IS1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSI8273DBD-IS1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SI8273DBD-IS1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
SI8273DBD-IS1
- Cikkszám:
- SI8273DBD-IS1
- Gyártó:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Leírás:
- DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 59763 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- SI8273DBD-IS1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségellátás: | 9.6 V ~ 30 V |
| Feszültség - Izolálás: | 2500Vrms |
| Feszültség - Forward (Vf) (Typ): | - |
| Technológia: | Capacitive Coupling |
| Szállító eszközcsomag: | 16-SOIC |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q100 |
| Rise / Fall Time (Typ): | 10.5ns, 13.3ns |
| Pulzus szélesség torzítás (max.): | 8ns |
| Szaporítási késleltetés tpLH / tpHL (Max): | 75ns, 75ns |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Más nevek: | 336-3539-5 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C |
| Csatornák száma: | 2 |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 6 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Részletes leírás: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC |
| Aktuális - csúcskimenet: | 4A |
| Aktuális - Kimenet magas, alacsony: | 1.8A, 4A |
| Közös módú tranziens immunitás (Min): | 200kV/µs |
| Engedélyek: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SI8273DBD-IS1-hoz
Latest News
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében
- Vishay elindítja a minilált csomagolást, a kis fényesség kis és tiszta zöld LED -jét
- Ansonmei induktív pozícióérzékelőt indított az ipari és szállítási piacra
- Ruisa elindítja a régi gyárat, hogy növelje az energiaeszközt, a földrengés enyhe kimenetet érint
- A mikrochip lehetővé teszi a TSMC termelési kapacitását és növeli az áremelkedéseket
- Ruisa elindította az új RA0 sorozat Ultra -low Power Entry -szintű MCU -t
- A Melexis egy teljes integrált induktor kapcsoló chipet indít
- Az X-PAB bemutatja a képérzékelő háttámlájának megvilágítási technológiáját a CMOS érzékelő teljesítményének javítása érdekében
- A nagy chipgyárat a földrengés sújtotta: a TSMC sürgősen abbahagyta a munkát, és hiányzott a GPU -ellátás hiánya?
- A NAND Flash memória folytatódik, az MCU Destocking Bottom igaza van
- Az AI légiközlekedési outlet alatt a két fő chip -óriás "nem erős": a játék megtöréséhez a pénz összetörése, a 2025 -ös csapat csatákra fogadáshoz.