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SI8273DBD-IS1
- Artikelnummer:
- SI8273DBD-IS1
- Hersteller:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Beschreibung:
- DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 59763 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SI8273DBD-IS1.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannungsversorgung: | 9.6 V ~ 30 V |
| Spannung - Isolation: | 2500Vrms |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ): | - |
| Technologie: | Capacitive Coupling |
| Supplier Device-Gehäuse: | 16-SOIC |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ): | 10.5ns, 13.3ns |
| Pulsbreite Verzerrung (Max): | 8ns |
| Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max): | 75ns, 75ns |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | 336-3539-5 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 125°C |
| Anzahl der Kanäle: | 2 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC |
| Strom - Spitzenausgang: | 4A |
| Strom - hoch, niedrig: | 1.8A, 4A |
| Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.): | 200kV/µs |
| Zulassungen: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
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