SI8273DBD-IS1 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для SI8273DBD-IS1, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SI8273DBD-IS1 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить SI8273DBD-IS1 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
SI8273DBD-IS1
- Тип продуктов:
- SI8273DBD-IS1
- производитель:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Описание:
- DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 59763 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- SI8273DBD-IS1.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение тока - поставка: | 9.6 V ~ 30 V |
| Напряжение - Изоляция: | 2500Vrms |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Тип): | - |
| Технологии: | Capacitive Coupling |
| Поставщик Упаковка устройства: | 16-SOIC |
| Серии: | Automotive, AEC-Q100 |
| Время нарастания / спада (Typ): | 10.5ns, 13.3ns |
| Искажение ширины импульса (макс.): | 8ns |
| Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.): | 75ns, 75ns |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Другие названия: | 336-3539-5 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 125°C |
| Количество каналов: | 2 |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| Стандартное время изготовления: | 6 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC |
| Ток - Пик Выходной: | 4A |
| Ток - Выходной High, Low: | 1.8A, 4A |
| Переходный импеданс синфазного сигнала (мин.): | 200kV/µs |
| Утверждения: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для SI8273DBD-IS1
Latest Новости
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки
- Вишай запускает мини -упаковку высокой яркости маленький синий и чистый зеленый светодиод
- Ansonmei запустил индуктивный датчик положения для промышленного и транспортного рынка
- Ruisa начинает старую фабрику, чтобы увеличить силовое устройство, землетрясение влияет
- Microchip позволяет производственную мощность TSMC и увеличивает повышение цены.
- Ruisa запустила новую серию RA0 Ultra -Low Power Intry -Level MCU
- Melexis запускает полную чип индуктора индуктора
- X-FAB вводит технологию освещения датчика изображения для повышения производительности датчика CMOS
- Землетрясение повлияло на крупную фишковую фабрику: TSMC перестал работать срочно, усугубляя поставку графического процессора в дефиците?
- Nand Flash Memory продолжается, MCU Destocking Bottom - это правильно
- Под выходом AI AIR два основных чип -гиганта «не сильны»: разбивая деньги, чтобы сломать игру, ставки на командные битвы 2025