SI8273DBD-IS1
SI8273DBD-IS1
Modelo do Produto:
SI8273DBD-IS1
Fabricante:
Energy Micro (Silicon Labs)
Descrição:
DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
59763 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI8273DBD-IS1.pdf

Introdução

SI8273DBD-IS1 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para SI8273DBD-IS1, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para SI8273DBD-IS1 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre SI8273DBD-IS1 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]

Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Fornecimento:9.6 V ~ 30 V
Tensão - Isolamento:2500Vrms
Voltagem - Avanço (Vf) (Tipo):-
Tecnologia:Capacitive Coupling
Embalagem do dispositivo fornecedor:16-SOIC
Série:Automotive, AEC-Q100
Aumento / tempo de queda (típico):10.5ns, 13.3ns
Distorção de largura de pulso (máx.):8ns
Atraso de propagação tpLH / tpHL (Max):75ns, 75ns
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:336-3539-5
Temperatura de operação:-40°C ~ 125°C
Número de canais:2
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):2A (4 Weeks)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC
Atual - de saída de pico:4A
Atual - Saída Alto, Baixo:1.8A, 4A
Imunidade Transiente em Modo Comum (Min):200kV/µs
aprovações:CQC, CSA, UR, VDE
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações