Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > 1N5418C.TR
1N5418C.TR
1N5418C.TR
Αριθμός εξαρτήματος:
1N5418C.TR
Κατασκευαστής:
Semtech
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL
Ποσότητα αποθέματος:
29830 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1N5418C.TR.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το 1N5418C.TR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1N5418C.TR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1N5418C.TR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1N5418C.TR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:1.1V @ 3A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max):400V
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:Axial
Ταχύτητα:Fast Recovery = 200mA (Io)
Σειρά:-
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):150ns
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:Axial
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:-
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Κατασκευαστής Standard Lead Time:12 Weeks
Diode Τύπος:Standard
Λεπτομερής περιγραφή:Diode Standard 400V 4.5A Through Hole Axial
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:1µA @ 400V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io):4.5A
Χωρητικότητα @ VR, F:165pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για 1N5418C.TR

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
1N5419E3 Image 1N5419E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL Έρευνα
1N5419 Image 1N5419 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF Έρευνα
1N5415US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 3A D5B Έρευνα
1N5417TR Image 1N5417TR Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Έρευνα
1N5417 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Έρευνα
1N5417-TAP Image 1N5417-TAP Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Έρευνα
1N5419 Semtech DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL Έρευνα
1N5420 Semtech DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL Έρευνα
1N5420 Image 1N5420 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Έρευνα
1N5417C.TR Image 1N5417C.TR Semtech DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL Έρευνα
1N5418US Image 1N5418US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A D5B Έρευνα
1N5419US Microsemi DIODE GEN PURP 500V 3A D5B Έρευνα
1N5416US Image 1N5416US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 3A D5B Έρευνα
1N5518B (DO35) Image 1N5518B (DO35) Microsemi DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Έρευνα
1N5418-TAP Image 1N5418-TAP Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Έρευνα
1N5418TR Image 1N5418TR Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Έρευνα
1N5417US Image 1N5417US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 3A D5B Έρευνα
1N5420US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A D5B Έρευνα
1N5416 Image 1N5416 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Έρευνα
1N5418 Image 1N5418 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF Έρευνα

Latest Ειδήσεις