1N5418C.TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1N5418C.TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1N5418C.TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1N5418C.TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1N5418C.TR
- Part Number:
- 1N5418C.TR
- Producent:
- Semtech
- Opis:
- DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL
- Wielkość zbiorów:
- 29830 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1N5418C.TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.1V @ 3A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 400V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Axial |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 150ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Axial |
| Temperatura pracy - złącze: | - |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 400V 4.5A Through Hole Axial |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1µA @ 400V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 4.5A |
| Pojemność @ VR F: | 165pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1N5418C.TR
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU