1N5418C.TR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 1N5418C.TR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 1N5418C.TR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 1N5418C.TR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
1N5418C.TR
- Part Number:
- 1N5418C.TR
- Výrobce:
- Semtech
- Popis:
- DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL
- Množství zásob:
- 29830 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1N5418C.TR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.1V @ 3A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 400V |
| Dodavatel zařízení Package: | Axial |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 150ns |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | Axial |
| Provozní teplota - spojení: | - |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 400V 4.5A Through Hole Axial |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1µA @ 400V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 4.5A |
| Kapacitní @ Vr, F: | 165pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 1N5418C.TR
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5419E3 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Dotaz |
 |
1N5419 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF | Dotaz |
 |
1N5415US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A D5B | Dotaz |
 |
1N5417TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 | Dotaz |
|
1N5417 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Dotaz |
|
1N5417-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 | Dotaz |
 |
1N5419 | Semtech | DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL | Dotaz |
|
1N5420 | Semtech | DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL | Dotaz |
 |
1N5420 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Dotaz |
 |
1N5417C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL | Dotaz |
 |
1N5418US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | Dotaz |
|
1N5419US | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | Dotaz |
 |
1N5416US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A D5B | Dotaz |
 |
1N5518B (DO35) | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Dotaz |
|
1N5418-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 | Dotaz |
|
1N5418TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 | Dotaz |
 |
1N5417US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A D5B | Dotaz |
|
1N5420US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Dotaz |
 |
1N5416 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Dotaz |
 |
1N5418 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF | Dotaz |
Latest News
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU