Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > 1N5417US
1N5417US
1N5417US
Αριθμός εξαρτήματος:
1N5417US
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα αποθέματος:
55355 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1N5417US.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το 1N5417US είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1N5417US, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1N5417US μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1N5417US με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:1.5V @ 9A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max):200V
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:D-5B
Ταχύτητα:Fast Recovery = 200mA (Io)
Σειρά:-
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):150ns
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:E-MELF
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:-65°C ~ 175°C
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:7 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Τύπος:Standard
Λεπτομερής περιγραφή:Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:1µA @ 200V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io):3A
Χωρητικότητα @ VR, F:-
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για 1N5417US

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
1N5419E3 Image 1N5419E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL Έρευνα
1N5416 Image 1N5416 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Έρευνα
1N5417 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Έρευνα
1N5419 Semtech DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL Έρευνα
1N5418-TAP Image 1N5418-TAP Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Έρευνα
1N5419 Image 1N5419 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF Έρευνα
1N5415US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 3A D5B Έρευνα
1N5420 Image 1N5420 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Έρευνα
1N5417TR Image 1N5417TR Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Έρευνα
1N5418US Image 1N5418US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A D5B Έρευνα
1N5419US Microsemi DIODE GEN PURP 500V 3A D5B Έρευνα
1N5417-TAP Image 1N5417-TAP Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Έρευνα
1N5408TA Image 1N5408TA Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Έρευνα
1N5417C.TR Image 1N5417C.TR Semtech DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL Έρευνα
1N5418C.TR Image 1N5418C.TR Semtech DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL Έρευνα
1N5418 Image 1N5418 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF Έρευνα
1N5415 Image 1N5415 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL Έρευνα
1N5408RLG Image 1N5408RLG AMI Semiconductor / ON Semiconductor DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Έρευνα
1N5416US Image 1N5416US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 3A D5B Έρευνα
1N5418TR Image 1N5418TR Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Έρευνα

Latest Ειδήσεις