Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > 1N5419
1N5419
1N5419
Αριθμός εξαρτήματος:
1N5419
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα αποθέματος:
37495 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1N5419.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το 1N5419 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1N5419, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1N5419 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1N5419 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - Peak Reverse (Max):Standard
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:3A
Τάσης - Ανάλυση:B, SQ-MELF
Σειρά:-
Κατάσταση RoHS:Bulk
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):Fast Recovery = 200mA (Io)
Αντίσταση @ Αν, F:-
Πόλωση:SQ-MELF, B
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:250ns
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:7 Weeks
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή:1N5419
Διευρυμένη περιγραφή:Diode Standard 500V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Διαμόρφωση δίοδος:1µA @ 500V
Περιγραφή:DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:1.5V @ 9A
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode):500V
Χωρητικότητα @ VR, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για 1N5419

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
1N5417US Image 1N5417US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 3A D5B Έρευνα
1N5520B (DO35) Image 1N5520B (DO35) Microsemi DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 Έρευνα
1N5418-TAP Image 1N5418-TAP Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Έρευνα
1N5417C.TR Image 1N5417C.TR Semtech DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL Έρευνα
1N5419US Microsemi DIODE GEN PURP 500V 3A D5B Έρευνα
1N5418 Image 1N5418 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF Έρευνα
1N5418C.TR Image 1N5418C.TR Semtech DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL Έρευνα
1N5419 Semtech DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL Έρευνα
1N5417-TAP Image 1N5417-TAP Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Έρευνα
1N5519BUR-1 Microsemi ZENER DIODE Έρευνα
1N5420 Semtech DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL Έρευνα
1N5518BUR-1 Microsemi ZENER DIODE Έρευνα
1N5518B (DO35) Image 1N5518B (DO35) Microsemi DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Έρευνα
1N5519B (DO35) Image 1N5519B (DO35) Microsemi DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Έρευνα
1N5418US Image 1N5418US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A D5B Έρευνα
1N5420 Image 1N5420 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Έρευνα
1N5419E3 Image 1N5419E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL Έρευνα
1N5418TR Image 1N5418TR Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Έρευνα
1N5420US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A D5B Έρευνα
1N5417TR Image 1N5417TR Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Έρευνα

Latest Ειδήσεις