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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STL19N60DM2
STL19N60DM2
STL19N60DM2
Modèle de produit:
STL19N60DM2
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
28126 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
STL19N60DM2.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerFlat™ (8x8) HV
Séries:MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):90W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:497-16361-6
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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